SiC碳化硅功率器件因其卓越的材料特性可大幅降低功率损耗，提高电气设备综合效率，被誉为新一代“绿色元器件”而备受瞩目。与Si相比， SiC功率器件实现低导通电阻、高速开关、高温工作，广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等各个领域，实现了电气设备小型化和高效化，并能在各种严苛环境下稳定工作。
SiC 与Si性能对比:
SiC MOSFET器件优势:
l 对比Si IGBT：开关损耗优势显著，导通损耗也更低
l 对比Si MOSFET：比导通电阻低，而且全温度区间变化小
与国外产品电性能对比:
l RDS,ON随结温的变化量较小，沟道电阻占比仍然较大
l 阈值电压与Cree类似，均低于Rohm产品（沟槽技术）
SiC SBD优势:
l 对比Si 快恢复二极管：
l 反向恢复电荷少，开关损耗低
l 反向恢复时间短，实现高速开关
SIC 应用方案:
