碳化硅SiC MOSFET

在开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，碳化硅SiC MOSFET的导通电阻和开关损耗大幅降低，更适合应用于高频电路。另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。广泛应用于新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域。

碳化硅SiC MOSFET的特点：

• 寄生电容小，开关速度快

• 开关损耗极低，适用于高频工作场景

• 开关损耗和温度无关，适用于高温工作

• 驱动简单，使用方便

• 电流密度高，便于模块集成封装

• 6英寸薄片工艺，芯片厚度180um,热阻低，散热好

• 最高工作结温175度

• 高击穿电压:  650V系列~ 电流30A/1200V系列~电流10A-100A/1700V系列~电流5A-40A

碳化硅SiC MOSFET器件选型表：

注：可根据用于需求，提供SMB、SMC、DFN、QFN等定制化封装形式。