碳化硅（SiC）功率模组

碳化硅（SiC）功率模组可实现更高效、更小尺寸及更轻重量的系统，相比传统的硅技术可以帮助降低总体系统成本。碳化硅（SiC）功率模组可在半桥结构中容纳碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管，最大结温可达175°C。碳化硅器件使得碳化硅（SiC）功率模组可实现高频率的开关速度，并能够减小功率转换系统尺寸、重量和成本。应用领域包括大功率电源转换器、工业电机驱动、太阳能逆变器、储能系统和不间断电源等。

碳化硅（SiC）功率模组的特点：

• 更高工作频率

• 更高功率密度

• 最高效率减少冷却工作

• 降低系统和运营成本

  碳化硅（SiC）功率模组的选型：